Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
3.1 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
IPAK (TO-251)
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
1.2 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
8.7 nC @ 10 V
Plotis
2.38mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
6.73mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
6.22mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas
P-Channel MOSFET, 100V to 400V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 1,19
€ 1,19 už 1 vnt. (be PVM)
€ 1,44
€ 1,44 už 1 vnt. (su PVM)
1

€ 1,19
€ 1,19 už 1 vnt. (be PVM)
€ 1,44
€ 1,44 už 1 vnt. (su PVM)
1

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
kiekis | Vieneto kaina |
---|---|
1 - 9 | € 1,19 |
10 - 49 | € 1,09 |
50 - 99 | € 1,04 |
100 - 249 | € 0,90 |
250+ | € 0,83 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
3.1 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
IPAK (TO-251)
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
1.2 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
8.7 nC @ 10 V
Plotis
2.38mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
6.73mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
6.22mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas