Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Vishay SiliconixChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
6 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Serija
TrenchFET
Pakuotės tipas
PowerPAK 1212-8
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
40 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
27.8 W
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
2
Plotis
3.15mm
Ilgis
3.15mm
Typical Gate Charge @ Vgs
11.5 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.1V
Automotive Standard
AEC-Q101
Aukštis
1.07mm
Kilmės šalis
China
€ 1 003,20
€ 0,334 Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 1 213,87
€ 0,404 Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000

€ 1 003,20
€ 0,334 Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 1 213,87
€ 0,404 Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Vishay SiliconixChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
6 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Serija
TrenchFET
Pakuotės tipas
PowerPAK 1212-8
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
40 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
27.8 W
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
2
Plotis
3.15mm
Ilgis
3.15mm
Typical Gate Charge @ Vgs
11.5 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.1V
Automotive Standard
AEC-Q101
Aukštis
1.07mm
Kilmės šalis
China