Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
390 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
2 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±12 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
1.8mm
Ilgis
2.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.1 nC @ 4.2 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Aukštis
0.7mm
Kilmės šalis
Thailand
€ 7,36
€ 0,147 Each (In a Pack of 50) (be PVM)
€ 8,91
€ 0,178 Each (In a Pack of 50) (su PVM)
Standartas
50

€ 7,36
€ 0,147 Each (In a Pack of 50) (be PVM)
€ 8,91
€ 0,178 Each (In a Pack of 50) (su PVM)
Standartas
50

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
50 - 100 | € 0,147 | € 7,36 |
150 - 450 | € 0,124 | € 6,18 |
500 - 950 | € 0,105 | € 5,27 |
1000+ | € 0,091 | € 4,56 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
390 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
2 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±12 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
1.8mm
Ilgis
2.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.1 nC @ 4.2 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Aukštis
0.7mm
Kilmės šalis
Thailand