Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
259 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Serija
NexFET
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
3.2 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.2V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.1V
Maximum Power Dissipation
375 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
4.7mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
118 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Aukštis
16.51mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
€ 93,86
€ 3,61 Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (be PVM)
€ 113,57
€ 4,368 Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Vamzdelis)
26

€ 93,86
€ 3,61 Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (be PVM)
€ 113,57
€ 4,368 Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Vamzdelis)
26

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
259 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Serija
NexFET
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
3.2 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.2V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.1V
Maximum Power Dissipation
375 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
4.7mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
118 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Aukštis
16.51mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas