Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
8 A
Maximum Drain Source Voltage
900 V
Pakuotės tipas
TO-220
Serija
MDmesh, SuperMESH
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
1.3 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
160 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
72 nC @ 10 V
Plotis
4.6mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
10.4mm
Aukštis
15.75mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas
N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700V to 1200V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 3,23
€ 3,23 už 1 vnt. (be PVM)
€ 3,91
€ 3,91 už 1 vnt. (su PVM)
Standartas
1

€ 3,23
€ 3,23 už 1 vnt. (be PVM)
€ 3,91
€ 3,91 už 1 vnt. (su PVM)
Standartas
1

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
kiekis | Vieneto kaina |
---|---|
1 - 9 | € 3,23 |
10 - 24 | € 2,94 |
25 - 99 | € 2,76 |
100 - 499 | € 2,18 |
500+ | € 1,95 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
8 A
Maximum Drain Source Voltage
900 V
Pakuotės tipas
TO-220
Serija
MDmesh, SuperMESH
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
1.3 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
160 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
72 nC @ 10 V
Plotis
4.6mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
10.4mm
Aukštis
15.75mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas