Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
70 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
D2PAK (TO-263)
Serija
STripFET F3
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
12 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
100 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-16 V, +16 V
Typical Gate Charge @ Vgs
24 nC @ 4.5 V
Ilgis
10.75mm
Transistor Material
Si
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Number of Elements per Chip
1
Plotis
10.4mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
4.6mm
Produkto aprašymas
N-Channel STripFET™ F3, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 444,60
€ 0,445 Each (On a Reel of 1000) (be PVM)
€ 537,97
€ 0,538 Each (On a Reel of 1000) (su PVM)
1000

€ 444,60
€ 0,445 Each (On a Reel of 1000) (be PVM)
€ 537,97
€ 0,538 Each (On a Reel of 1000) (su PVM)
1000

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
70 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
D2PAK (TO-263)
Serija
STripFET F3
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
12 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
100 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-16 V, +16 V
Typical Gate Charge @ Vgs
24 nC @ 4.5 V
Ilgis
10.75mm
Transistor Material
Si
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Number of Elements per Chip
1
Plotis
10.4mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
4.6mm
Produkto aprašymas
N-Channel STripFET™ F3, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.