Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
30 A
Maximum Drain Source Voltage
1200 V
Serija
SCT
Pakuotės tipas
HiP247-4
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
4
Channel Mode
Enhancement
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
SiC
Kilmės šalis
China
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
P.O.A.
STMicroelectronics SCT SiC N-Channel MOSFET, 30 A, 1200 V, 4-Pin HiP247-4 SCT070W120G3-4
Pasirinkite pakuotės tipą
Standartas
1

P.O.A.
STMicroelectronics SCT SiC N-Channel MOSFET, 30 A, 1200 V, 4-Pin HiP247-4 SCT070W120G3-4
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Pasirinkite pakuotės tipą
Standartas
1

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
30 A
Maximum Drain Source Voltage
1200 V
Serija
SCT
Pakuotės tipas
HiP247-4
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
4
Channel Mode
Enhancement
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
SiC
Kilmės šalis
China