Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
185 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Pakuotės tipas
DFN
Serija
NTMFS5C430N
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
4 + Tab
Maximum Drain Source Resistance
1.7 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
106 W
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Number of Elements per Chip
1
Plotis
5.1mm
Ilgis
6.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
47 nC @ 10 V
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Aukštis
1.05mm
Kilmės šalis
Malaysia
Produkto aprašymas
N-Channel Power MOSFET, 40V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
€ 914,85
€ 0,61 Each (On a Reel of 1500) (be PVM)
€ 1 106,97
€ 0,738 Each (On a Reel of 1500) (su PVM)
1500

€ 914,85
€ 0,61 Each (On a Reel of 1500) (be PVM)
€ 1 106,97
€ 0,738 Each (On a Reel of 1500) (su PVM)
1500

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
185 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Pakuotės tipas
DFN
Serija
NTMFS5C430N
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
4 + Tab
Maximum Drain Source Resistance
1.7 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
106 W
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Number of Elements per Chip
1
Plotis
5.1mm
Ilgis
6.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
47 nC @ 10 V
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Aukštis
1.05mm
Kilmės šalis
Malaysia
Produkto aprašymas