Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
900 mA
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Serija
NDS352AP
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
0.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
20V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.8V
Maximum Power Dissipation
500 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
2 nC @ 4.5 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
1.4mm
Ilgis
2.92mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
0.94mm
€ 456,00
€ 0,152 Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 551,76
€ 0,184 Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000

€ 456,00
€ 0,152 Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 551,76
€ 0,184 Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
900 mA
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Serija
NDS352AP
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
0.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
20V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.8V
Maximum Power Dissipation
500 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
2 nC @ 4.5 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
1.4mm
Ilgis
2.92mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
0.94mm