N-channel MOSFET,IRF640 18A 200V
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
NEUTRALChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
18 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Pakuotės tipas
TO-220AB
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
180 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
125 W
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
10.51mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
70 nC @ 10 V
Aukštis
15.49mm
Plotis
4.65mm
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
NEUTRALChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
18 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Pakuotės tipas
TO-220AB
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
180 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
125 W
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
10.51mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
70 nC @ 10 V
Aukštis
15.49mm
Plotis
4.65mm