Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
44 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Pakuotės tipas
PG-HSOF-8
Serija
CoolSiC MOSFET 650 V G1
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Channel Mode
Enhancement
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
SiC
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
P.O.A.
Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G1 SiC N-Channel MOSFET, 44 A, 650 V, 8-Pin PG-HSOF-8 IMT65R057M1HXUMA1
Pasirinkite pakuotės tipą
Gamybinė pakuotė (Ritė)
1

P.O.A.
Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G1 SiC N-Channel MOSFET, 44 A, 650 V, 8-Pin PG-HSOF-8 IMT65R057M1HXUMA1
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Pasirinkite pakuotės tipą
Gamybinė pakuotė (Ritė)
1

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
44 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Pakuotės tipas
PG-HSOF-8
Serija
CoolSiC MOSFET 650 V G1
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Channel Mode
Enhancement
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
SiC