Diodes Inc N-Channel MOSFET, 260 mA, 240 V, 3-Pin E-Line ZVN4424A
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
260 mA
Maximum Drain Source Voltage
240 V
Pakuotės tipas
E-Line
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
5.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.8V
Maximum Power Dissipation
750 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-40 V, +40 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Plotis
2.41mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
4.77mm
Aukštis
4.01mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas
N-Channel MOSFET, 100V to 950V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 52,25
€ 1,045 Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (be PVM)
€ 63,22
€ 1,264 Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Juosta)
50
€ 52,25
€ 1,045 Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (be PVM)
€ 63,22
€ 1,264 Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Juosta)
50
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
| kiekis | Vieneto kaina | Per Juosta |
|---|---|---|
| 50 - 95 | € 1,045 | € 5,22 |
| 100 - 245 | € 0,813 | € 4,07 |
| 250 - 495 | € 0,766 | € 3,83 |
| 500+ | € 0,746 | € 3,73 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
260 mA
Maximum Drain Source Voltage
240 V
Pakuotės tipas
E-Line
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
5.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.8V
Maximum Power Dissipation
750 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-40 V, +40 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Plotis
2.41mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
4.77mm
Aukštis
4.01mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas
N-Channel MOSFET, 100V to 950V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products