Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
25 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Pakuotės tipas
PowerFLAT 8 x 8 HV
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
5
Maximum Drain Source Resistance
110 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.75V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.25V
Maximum Power Dissipation
160 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±25 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
8.1mm
Ilgis
8.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
44 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.5V
Aukštis
0.9mm
Kilmės šalis
China
€ 7,32
€ 3,658 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 8,86
€ 4,426 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
2

€ 7,32
€ 3,658 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 8,86
€ 4,426 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
2

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
25 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Pakuotės tipas
PowerFLAT 8 x 8 HV
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
5
Maximum Drain Source Resistance
110 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.75V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.25V
Maximum Power Dissipation
160 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±25 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
8.1mm
Ilgis
8.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
44 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.5V
Aukštis
0.9mm
Kilmės šalis
China