Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
50 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
DFN
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
5
Maximum Drain Source Resistance
13 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
46 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
6.1mm
Ilgis
5.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
9.5 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Aukštis
1.05mm
Kilmės šalis
Malaysia
Produkto aprašymas
N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
€ 524,40
€ 0,35 Each (On a Reel of 1500) (be PVM)
€ 634,52
€ 0,423 Each (On a Reel of 1500) (su PVM)
1500

€ 524,40
€ 0,35 Each (On a Reel of 1500) (be PVM)
€ 634,52
€ 0,423 Each (On a Reel of 1500) (su PVM)
1500

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
50 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
DFN
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
5
Maximum Drain Source Resistance
13 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
46 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
6.1mm
Ilgis
5.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
9.5 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Aukštis
1.05mm
Kilmės šalis
Malaysia
Produkto aprašymas