Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
NexperiaChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
130 mA
Maximum Drain Source Voltage
50 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
10 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.8V
Maximum Power Dissipation
250 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
1.4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
3mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Minimali darbinė temperatūra
-65 °C
Aukštis
1mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
P-Channel MOSFET, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
€ 5,65
€ 0,113 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 6,84
€ 0,137 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
50

€ 5,65
€ 0,113 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 6,84
€ 0,137 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
50

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
50 - 90 | € 0,113 | € 1,13 |
100 - 240 | € 0,095 | € 0,95 |
250 - 490 | € 0,088 | € 0,88 |
500+ | € 0,084 | € 0,84 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
NexperiaChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
130 mA
Maximum Drain Source Voltage
50 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
10 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.8V
Maximum Power Dissipation
250 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
1.4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
3mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Minimali darbinė temperatūra
-65 °C
Aukštis
1mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas