Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
900 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
X1-DFN1212
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
1.6 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.45V
Maximum Power Dissipation
890 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±12 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Plotis
1.25mm
Ilgis
1.25mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.7 nC @ 4.5 V
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Aukštis
0.48mm
Kilmės šalis
China
€ 99,75
€ 0,033 Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 120,70
€ 0,04 Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000

€ 99,75
€ 0,033 Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 120,70
€ 0,04 Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
900 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
X1-DFN1212
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
1.6 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.45V
Maximum Power Dissipation
890 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±12 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Plotis
1.25mm
Ilgis
1.25mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.7 nC @ 4.5 V
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Aukštis
0.48mm
Kilmės šalis
China