Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
185 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
9 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
-3V
Minimum Gate Threshold Voltage
-1V
Maximum Power Dissipation
350 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
2.64mm
Ilgis
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.7 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
-1.4V
Aukštis
1.02mm
€ 8,60
€ 0,344 Each (In a Pack of 25) (be PVM)
€ 10,41
€ 0,416 Each (In a Pack of 25) (su PVM)
Standartas
25

€ 8,60
€ 0,344 Each (In a Pack of 25) (be PVM)
€ 10,41
€ 0,416 Each (In a Pack of 25) (su PVM)
Standartas
25

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
25 - 225 | € 0,344 | € 8,60 |
250 - 600 | € 0,276 | € 6,89 |
625 - 1225 | € 0,206 | € 5,15 |
1250 - 2475 | € 0,172 | € 4,30 |
2500+ | € 0,155 | € 3,87 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
185 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
9 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
-3V
Minimum Gate Threshold Voltage
-1V
Maximum Power Dissipation
350 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
2.64mm
Ilgis
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.7 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
-1.4V
Aukštis
1.02mm