Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
110 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
D2PAK (TO-263)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
3.75 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
9.65mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
10.41mm
Typical Gate Charge @ Vgs
160 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Aukštis
4.83mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 1 672,00
€ 2,09 Each (On a Reel of 800) (be PVM)
€ 2 023,12
€ 2,529 Each (On a Reel of 800) (su PVM)
800

€ 1 672,00
€ 2,09 Each (On a Reel of 800) (be PVM)
€ 2 023,12
€ 2,529 Each (On a Reel of 800) (su PVM)
800

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
110 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
D2PAK (TO-263)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
3.75 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
9.65mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
10.41mm
Typical Gate Charge @ Vgs
160 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Aukštis
4.83mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas