Vishay N-Channel MOSFET, 13.6 A, 30 V, 8-Pin SOIC SI4162DY-T1-GE3

RS kodas: 710-3323PGamintojas: VishayGamintojo kodas: SI4162DY-T1-GE3
brand-logo
Žiūrėti viską MOSFET

Techniniai dokumentai

Specifikacijos

Markė

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

13.6 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Pakuotės tipas

SOIC

Tvirtinimo tipas

Surface Mount

Kaiščių skaičius

8

Maximum Drain Source Resistance

8 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

2.5 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

20 nC @ 10 V, 8.8 nC @ 4.5 V

Plotis

4mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Ilgis

5mm

Maksimali darbinė temperatūra

+150 °C

Aukštis

1.5mm

Minimali darbinė temperatūra

-55 °C

Kilmės šalis

China

Produkto aprašymas

N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Galbūt jus domina
N-Channel MOSFET Transistor, 9.5 A, 30 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4886DY-T1-E3
P.O.A.Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.

€ 43,08

€ 0,862 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)

€ 52,13

€ 1,043 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)

Vishay N-Channel MOSFET, 13.6 A, 30 V, 8-Pin SOIC SI4162DY-T1-GE3
Pasirinkite pakuotės tipą
sticker-462

€ 43,08

€ 0,862 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)

€ 52,13

€ 1,043 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)

Vishay N-Channel MOSFET, 13.6 A, 30 V, 8-Pin SOIC SI4162DY-T1-GE3
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Pasirinkite pakuotės tipą
sticker-462

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.

Patikrinkite dar kartą.

kiekisVieneto kainaPer Ritė
50 - 245€ 0,862€ 4,31
250 - 495€ 0,778€ 3,89
500 - 1245€ 0,731€ 3,65
1250+€ 0,686€ 3,43

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Galbūt jus domina
N-Channel MOSFET Transistor, 9.5 A, 30 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4886DY-T1-E3
P.O.A.Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)

Techniniai dokumentai

Specifikacijos

Markė

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

13.6 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Pakuotės tipas

SOIC

Tvirtinimo tipas

Surface Mount

Kaiščių skaičius

8

Maximum Drain Source Resistance

8 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

2.5 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

20 nC @ 10 V, 8.8 nC @ 4.5 V

Plotis

4mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Ilgis

5mm

Maksimali darbinė temperatūra

+150 °C

Aukštis

1.5mm

Minimali darbinė temperatūra

-55 °C

Kilmės šalis

China

Produkto aprašymas

N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Galbūt jus domina
N-Channel MOSFET Transistor, 9.5 A, 30 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4886DY-T1-E3
P.O.A.Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)