Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
13.6 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
SOIC
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
20 nC @ 10 V, 8.8 nC @ 4.5 V
Plotis
4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
5mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
1.5mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 43,08
€ 0,862 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 52,13
€ 1,043 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
50

€ 43,08
€ 0,862 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 52,13
€ 1,043 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
50

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
50 - 245 | € 0,862 | € 4,31 |
250 - 495 | € 0,778 | € 3,89 |
500 - 1245 | € 0,731 | € 3,65 |
1250+ | € 0,686 | € 3,43 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
13.6 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
SOIC
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
20 nC @ 10 V, 8.8 nC @ 4.5 V
Plotis
4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
5mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
1.5mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas