Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
30 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
TO-220
Serija
STripFET
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
40 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
70 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-18 V, +18 V
Plotis
4.6mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
10.4mm
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
13 nC @ 5 V
Aukštis
9.15mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas
N-Channel STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 20,02
€ 0,801 Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (be PVM)
€ 24,22
€ 0,969 Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Vamzdelis)
25

€ 20,02
€ 0,801 Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (be PVM)
€ 24,22
€ 0,969 Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Vamzdelis)
25

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
kiekis | Vieneto kaina | Per Vamzdelis |
---|---|---|
25 - 95 | € 0,801 | € 4,00 |
100 - 245 | € 0,703 | € 3,52 |
250 - 495 | € 0,623 | € 3,12 |
500+ | € 0,575 | € 2,87 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
30 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
TO-220
Serija
STripFET
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
40 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
70 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-18 V, +18 V
Plotis
4.6mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
10.4mm
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
13 nC @ 5 V
Aukštis
9.15mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas