Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ROHMChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
5 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Serija
RQ6E050AT
Pakuotės tipas
TSMT-6
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
6
Maximum Drain Source Resistance
38 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
1.25 W
Transistor Configuration
Dual Base
Maximum Gate Source Voltage
-18 V, +18 V
Plotis
1.8mm
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
20.8 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
0.95mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Kilmės šalis
Thailand
Produkto aprašymas
P-Channel MOSFET Transistors, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
€ 8,10
€ 0,324 Each (In a Pack of 25) (be PVM)
€ 9,80
€ 0,392 Each (In a Pack of 25) (su PVM)
25

€ 8,10
€ 0,324 Each (In a Pack of 25) (be PVM)
€ 9,80
€ 0,392 Each (In a Pack of 25) (su PVM)
25

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ROHMChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
5 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Serija
RQ6E050AT
Pakuotės tipas
TSMT-6
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
6
Maximum Drain Source Resistance
38 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
1.25 W
Transistor Configuration
Dual Base
Maximum Gate Source Voltage
-18 V, +18 V
Plotis
1.8mm
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
20.8 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
0.95mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Kilmės šalis
Thailand
Produkto aprašymas