Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ROHMChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
300 A
Maximum Drain Source Voltage
1200 V
Serija
BSM
Pakuotės tipas
c
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
4
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.6V
Maximum Power Dissipation
1875 W
Number of Elements per Chip
2
Plotis
57.95mm
Ilgis
152mm
Transistor Material
SiC
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Minimali darbinė temperatūra
-40 °C
Aukštis
17mm
Kilmės šalis
Japan
Produkto aprašymas
SiC Power Modules, ROHM
The Module consists of a Silicon-Carbide (SiC) DMOS Power FET Devices with a Schottky Barrier Diode (SBD) across the Drain and Source.
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
€ 3 705,00
€ 926,25 Each (In a Tray of 4) (be PVM)
€ 4 483,05
€ 1 120,762 Each (In a Tray of 4) (su PVM)
4

€ 3 705,00
€ 926,25 Each (In a Tray of 4) (be PVM)
€ 4 483,05
€ 1 120,762 Each (In a Tray of 4) (su PVM)
4

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ROHMChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
300 A
Maximum Drain Source Voltage
1200 V
Serija
BSM
Pakuotės tipas
c
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
4
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.6V
Maximum Power Dissipation
1875 W
Number of Elements per Chip
2
Plotis
57.95mm
Ilgis
152mm
Transistor Material
SiC
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Minimali darbinė temperatūra
-40 °C
Aukštis
17mm
Kilmės šalis
Japan
Produkto aprašymas
SiC Power Modules, ROHM
The Module consists of a Silicon-Carbide (SiC) DMOS Power FET Devices with a Schottky Barrier Diode (SBD) across the Drain and Source.