Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
157 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Pakuotės tipas
DFN
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
5
Maximum Drain Source Resistance
4.4 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
166 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
5.1mm
Ilgis
6.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
64 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Aukštis
1.1mm
€ 1 393,65
€ 0,929 Each (On a Reel of 1500) (be PVM)
€ 1 686,32
€ 1,124 Each (On a Reel of 1500) (su PVM)
1500

€ 1 393,65
€ 0,929 Each (On a Reel of 1500) (be PVM)
€ 1 686,32
€ 1,124 Each (On a Reel of 1500) (su PVM)
1500

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
157 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Pakuotės tipas
DFN
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
5
Maximum Drain Source Resistance
4.4 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
166 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
5.1mm
Ilgis
6.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
64 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Aukštis
1.1mm