Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
150 V
Pakuotės tipas
TO-220
Serija
OptiMOS™
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
7.7 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
300 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
70 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
4.57mm
Ilgis
10.36mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Aukštis
11.17mm
€ 11,02
€ 5,51 Each (In a Pack of 2) (be PVM)
€ 13,33
€ 6,667 Each (In a Pack of 2) (su PVM)
2

€ 11,02
€ 5,51 Each (In a Pack of 2) (be PVM)
€ 13,33
€ 6,667 Each (In a Pack of 2) (su PVM)
2

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
2 - 8 | € 5,51 | € 11,02 |
10 - 18 | € 5,225 | € 10,45 |
20 - 48 | € 4,608 | € 9,22 |
50 - 98 | € 4,275 | € 8,55 |
100+ | € 3,942 | € 7,88 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
150 V
Pakuotės tipas
TO-220
Serija
OptiMOS™
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
7.7 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
300 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
70 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
4.57mm
Ilgis
10.36mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Aukštis
11.17mm