Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
1.6 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
210 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
806 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
1.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
3.8 nC @ 5 V, 6.4 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
3.05mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
1mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas
P-Channel MOSFET, 30V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 2,83
€ 0,283 Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 3,42
€ 0,342 Each (In a Pack of 10) (su PVM)
Standartas
10

€ 2,83
€ 0,283 Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 3,42
€ 0,342 Each (In a Pack of 10) (su PVM)
Standartas
10

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
10 - 20 | € 0,283 | € 2,83 |
30 - 140 | € 0,167 | € 1,67 |
150 - 740 | € 0,147 | € 1,47 |
750 - 1490 | € 0,124 | € 1,24 |
1500+ | € 0,102 | € 1,02 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
1.6 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
210 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
806 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
1.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
3.8 nC @ 5 V, 6.4 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
3.05mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
1mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas