Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
90 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Serija
DMP
Pakuotės tipas
DI5060
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
16 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2.7 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±25 V
Ilgis
5.1mm
Number of Elements per Chip
1
Plotis
6mm
Typical Gate Charge @ Vgs
64.2 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Aukštis
1.1mm
Produkto aprašymas
P-Channel MOSFET, 30V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 857,38
€ 0,343 Each (On a Reel of 2500) (be PVM)
€ 1 037,43
€ 0,415 Each (On a Reel of 2500) (su PVM)
2500

€ 857,38
€ 0,343 Each (On a Reel of 2500) (be PVM)
€ 1 037,43
€ 0,415 Each (On a Reel of 2500) (su PVM)
2500

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
90 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Serija
DMP
Pakuotės tipas
DI5060
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
16 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2.7 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±25 V
Ilgis
5.1mm
Number of Elements per Chip
1
Plotis
6mm
Typical Gate Charge @ Vgs
64.2 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Aukštis
1.1mm
Produkto aprašymas