Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
BournsTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
1 A
Maximum Collector Emitter Voltage
250 V
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Maximum Power Dissipation
40 W
Maximum Collector Base Voltage
250 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Matmenys
9.3 x 10.4 x 4.7mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
P.O.A.
1

P.O.A.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
1

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
BournsTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
1 A
Maximum Collector Emitter Voltage
250 V
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Maximum Power Dissipation
40 W
Maximum Collector Base Voltage
250 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Matmenys
9.3 x 10.4 x 4.7mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C