Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
185 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
9 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
-3V
Minimum Gate Threshold Voltage
-1V
Maximum Power Dissipation
350 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Plotis
2.64mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.7 nC @ 10 V
Aukštis
1.02mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
-1.4V
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,136
Each (In a Pack of 25) (be PVM)
€ 0,165
Each (In a Pack of 25) (su PVM)
25
€ 0,136
Each (In a Pack of 25) (be PVM)
€ 0,165
Each (In a Pack of 25) (su PVM)
25
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
185 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
9 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
-3V
Minimum Gate Threshold Voltage
-1V
Maximum Power Dissipation
350 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Plotis
2.64mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.7 nC @ 10 V
Aukštis
1.02mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
-1.4V