Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
150 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Pakuotės tipas
TO-220AB
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
2.8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
375 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
4.65mm
Ilgis
10.51mm
Typical Gate Charge @ Vgs
151.2 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.5V
Aukštis
9.01mm
Kilmės šalis
China
€ 140,00
€ 2,80 Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (be PVM)
€ 169,40
€ 3,388 Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Vamzdelis)
50

€ 140,00
€ 2,80 Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (be PVM)
€ 169,40
€ 3,388 Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Gamybinė pakuotė (Vamzdelis)
50

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
kiekis | Vieneto kaina | Per Vamzdelis |
---|---|---|
50 - 120 | € 2,80 | € 14,00 |
125 - 245 | € 2,60 | € 13,00 |
250 - 495 | € 2,45 | € 12,25 |
500+ | € 2,30 | € 11,50 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
150 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Pakuotės tipas
TO-220AB
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
2.8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
375 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
4.65mm
Ilgis
10.51mm
Typical Gate Charge @ Vgs
151.2 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.5V
Aukštis
9.01mm
Kilmės šalis
China