Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
60 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Pakuotės tipas
PowerPAK SO-8L
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
6.7 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.4V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.4V
Maximum Power Dissipation
68 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Plotis
4.47mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
48.2 nC @ 10 V
Aukštis
1.01mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Automotive Standard
AEC-Q101
Kilmės šalis
China
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,859
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 1,039
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
100
€ 0,859
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 1,039
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
100
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
100 - 240 | € 0,859 | € 8,59 |
250 - 490 | € 0,732 | € 7,32 |
500 - 990 | € 0,686 | € 6,86 |
1000+ | € 0,64 | € 6,40 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
60 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Pakuotės tipas
PowerPAK SO-8L
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
6.7 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.4V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.4V
Maximum Power Dissipation
68 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Plotis
4.47mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
48.2 nC @ 10 V
Aukštis
1.01mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Automotive Standard
AEC-Q101
Kilmės šalis
China