Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
25 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Pakuotės tipas
PowerPAK ChipFET
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
9.47 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
31 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
+20 V
Plotis
1.9mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
26.2 nC @ 10 V
Aukštis
0.8mm
Serija
TrenchFET
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Produkto aprašymas
N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,56
Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 0,678
Each (In a Pack of 10) (su PVM)
10
€ 0,56
Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 0,678
Each (In a Pack of 10) (su PVM)
10
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
10 - 40 | € 0,56 | € 5,60 |
50 - 140 | € 0,531 | € 5,31 |
150 - 740 | € 0,427 | € 4,27 |
750 - 1490 | € 0,353 | € 3,53 |
1500+ | € 0,281 | € 2,81 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
25 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Pakuotės tipas
PowerPAK ChipFET
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
9.47 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
31 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
+20 V
Plotis
1.9mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
26.2 nC @ 10 V
Aukštis
0.8mm
Serija
TrenchFET
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Produkto aprašymas