Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
6 A
Maximum Drain Source Voltage
12 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
19 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
1.7 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
23 nC @ 8 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Plotis
1.4mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
1.02mm
Produkto aprašymas
P-Channel MOSFET, 8V to 20V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 37,90
€ 0,379 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 45,86
€ 0,459 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
100

€ 37,90
€ 0,379 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 45,86
€ 0,459 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Gamybinė pakuotė (Ritė)
100

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
100 - 490 | € 0,379 | € 3,79 |
500 - 990 | € 0,344 | € 3,44 |
1000 - 2490 | € 0,323 | € 3,23 |
2500+ | € 0,303 | € 3,03 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
6 A
Maximum Drain Source Voltage
12 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
19 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
1.7 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
23 nC @ 8 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Plotis
1.4mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
1.02mm
Produkto aprašymas