Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
190 mA, 300 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
SC-89-6
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
6
Maximum Drain Source Resistance
3 Ω, 8 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
250 mW
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
2
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
1.7mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1700 nC @ 15 V, 750 nC @ 4.5 V
Plotis
1.7mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
0.6mm
Produkto aprašymas
Dual N/P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,196
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,237
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
20
€ 0,196
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,237
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
20
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
190 mA, 300 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
SC-89-6
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
6
Maximum Drain Source Resistance
3 Ω, 8 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
250 mW
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
2
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
1.7mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1700 nC @ 15 V, 750 nC @ 4.5 V
Plotis
1.7mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
0.6mm
Produkto aprašymas