Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
28 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
TO-220AB
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
77 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
150 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
72 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
10.41mm
Plotis
4.7mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
9.01mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 3,202
Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 3,875
Each (In a Pack of 5) (su PVM)
5
€ 3,202
Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 3,875
Each (In a Pack of 5) (su PVM)
5
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
5 - 45 | € 3,202 | € 16,01 |
50 - 120 | € 2,73 | € 13,65 |
125 - 245 | € 2,572 | € 12,86 |
250 - 495 | € 2,415 | € 12,08 |
500+ | € 1,942 | € 9,71 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
28 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
TO-220AB
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
77 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
150 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
72 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
10.41mm
Plotis
4.7mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
9.01mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas