Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Vishay SiliconixChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
9.4 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Serija
TrenchFET
Pakuotės tipas
PowerPAK SO-8L
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
4
Maximum Drain Source Resistance
760 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
68 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Si
Plotis
5mm
Ilgis
5.99mm
Typical Gate Charge @ Vgs
55 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Aukštis
1.07mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Automotive Standard
AEC-Q101
Kilmės šalis
China
€ 1 920,90
€ 0,64 Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 2 324,29
€ 0,774 Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000

€ 1 920,90
€ 0,64 Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 2 324,29
€ 0,774 Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Vishay SiliconixChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
9.4 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Serija
TrenchFET
Pakuotės tipas
PowerPAK SO-8L
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
4
Maximum Drain Source Resistance
760 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
68 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Si
Plotis
5mm
Ilgis
5.99mm
Typical Gate Charge @ Vgs
55 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Aukštis
1.07mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Automotive Standard
AEC-Q101
Kilmės šalis
China