Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Vishay SiliconixChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
30 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Serija
TrenchFET
Pakuotės tipas
PowerPAK SO-8L
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
4
Maximum Drain Source Resistance
20 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
45 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Plotis
5mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
5.99mm
Typical Gate Charge @ Vgs
63 nC @ 10 V
Aukštis
1.07mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Automotive Standard
AEC-Q101
Kilmės šalis
China
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 1 245,45
€ 0,415 Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 1 506,99
€ 0,502 Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
![sticker-462](https://cms.rsdelivers.com/repository-v1/nuolaida-7.gif)
€ 1 245,45
€ 0,415 Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 1 506,99
€ 0,502 Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
![sticker-462](https://cms.rsdelivers.com/repository-v1/nuolaida-7.gif)
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Vishay SiliconixChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
30 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Serija
TrenchFET
Pakuotės tipas
PowerPAK SO-8L
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
4
Maximum Drain Source Resistance
20 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
45 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Plotis
5mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
5.99mm
Typical Gate Charge @ Vgs
63 nC @ 10 V
Aukštis
1.07mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Automotive Standard
AEC-Q101
Kilmės šalis
China