Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
29 A
Maximum Drain Source Voltage
150 V
Pakuotės tipas
SOP
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
33 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
57 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Plotis
5mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
10.6 nC @ 10 V
Ilgis
5mm
Aukštis
0.95mm
Forward Diode Voltage
1.2V
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,541
Each (On a Reel of 5000) (be PVM)
€ 0,655
Each (On a Reel of 5000) (su PVM)
5000
€ 0,541
Each (On a Reel of 5000) (be PVM)
€ 0,655
Each (On a Reel of 5000) (su PVM)
5000
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
29 A
Maximum Drain Source Voltage
150 V
Pakuotės tipas
SOP
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
33 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
57 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Plotis
5mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
10.6 nC @ 10 V
Ilgis
5mm
Aukštis
0.95mm
Forward Diode Voltage
1.2V