Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
6.8 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Serija
DTMOSIV
Pakuotės tipas
DPAK (TO-252)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
800 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
60 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Plotis
6.1mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
6.6mm
Typical Gate Charge @ Vgs
15 nC @ 10 V
Aukštis
2.3mm
Forward Diode Voltage
1.7V
Kilmės šalis
Japan
Produkto aprašymas
MOSFET N-Channel, TK6 & TK7 Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 7,29
€ 0,729 Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 8,82
€ 0,882 Each (In a Pack of 10) (su PVM)
10
€ 7,29
€ 0,729 Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 8,82
€ 0,882 Each (In a Pack of 10) (su PVM)
10
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
6.8 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Serija
DTMOSIV
Pakuotės tipas
DPAK (TO-252)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
800 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
60 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Plotis
6.1mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
6.6mm
Typical Gate Charge @ Vgs
15 nC @ 10 V
Aukštis
2.3mm
Forward Diode Voltage
1.7V
Kilmės šalis
Japan
Produkto aprašymas