Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
61.8 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Serija
DTMOSIV
Pakuotės tipas
TO-247
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
45 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
400 W
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Plotis
5.02mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
15.94mm
Typical Gate Charge @ Vgs
205 nC @ 10 V
Aukštis
20.95mm
Forward Diode Voltage
1.7V
Produkto aprašymas
MOSFET N-Channel, TK6 & TK7 Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 11,88
už 1 vnt. (be PVM)
€ 14,37
už 1 vnt. (su PVM)
1
€ 11,88
už 1 vnt. (be PVM)
€ 14,37
už 1 vnt. (su PVM)
1
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina |
---|---|
1 - 4 | € 11,88 |
5 - 9 | € 10,64 |
10+ | € 9,78 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
61.8 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Serija
DTMOSIV
Pakuotės tipas
TO-247
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
45 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
400 W
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Plotis
5.02mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
15.94mm
Typical Gate Charge @ Vgs
205 nC @ 10 V
Aukštis
20.95mm
Forward Diode Voltage
1.7V
Produkto aprašymas