Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
58 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Serija
TK
Pakuotės tipas
TO-220SIS
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
5.4 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
35 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
4.5mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
10mm
Typical Gate Charge @ Vgs
46 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
15mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
MOSFET Transistors, Toshiba
€ 3,86
€ 0,771 Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 4,67
€ 0,933 Each (In a Pack of 5) (su PVM)
5

€ 3,86
€ 0,771 Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 4,67
€ 0,933 Each (In a Pack of 5) (su PVM)
5

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
5 - 45 | € 0,771 | € 3,86 |
50 - 95 | € 0,636 | € 3,18 |
100 - 245 | € 0,578 | € 2,89 |
250 - 495 | € 0,565 | € 2,83 |
500+ | € 0,555 | € 2,77 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
58 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Serija
TK
Pakuotės tipas
TO-220SIS
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
5.4 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
35 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
4.5mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
10mm
Typical Gate Charge @ Vgs
46 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
15mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas