Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
97 A
Maximum Drain Source Voltage
25 V
Pakuotės tipas
SON
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
7.2 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.4V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.9V
Maximum Power Dissipation
3.1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +10 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
6.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
6.8 nC @ 4.5 V
Plotis
5.1mm
Transistor Material
Si
Serija
NexFET
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
1.05mm
Produkto aprašymas
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 1,235
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 1,494
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
5
€ 1,235
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 1,494
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
5
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
5 - 20 | € 1,235 | € 6,18 |
25 - 45 | € 1,14 | € 5,70 |
50 - 120 | € 1,092 | € 5,46 |
125 - 245 | € 1,045 | € 5,22 |
250+ | € 0,998 | € 4,99 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
97 A
Maximum Drain Source Voltage
25 V
Pakuotės tipas
SON
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
7.2 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.4V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.9V
Maximum Power Dissipation
3.1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +10 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
6.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
6.8 nC @ 4.5 V
Plotis
5.1mm
Transistor Material
Si
Serija
NexFET
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
1.05mm
Produkto aprašymas