Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
5 A
Maximum Drain Source Voltage
25 V
Serija
NexFET
Pakuotės tipas
WSON
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
6
Maximum Drain Source Resistance
34 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.55V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.9V
Maximum Power Dissipation
2.3 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +10 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
2 nC @ 4.5 V
Plotis
2mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
0.8mm
Produkto aprašymas
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,198
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,24
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
10
€ 0,198
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,24
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
10
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
5 A
Maximum Drain Source Voltage
25 V
Serija
NexFET
Pakuotės tipas
WSON
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
6
Maximum Drain Source Resistance
34 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.55V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.9V
Maximum Power Dissipation
2.3 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +10 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
2 nC @ 4.5 V
Plotis
2mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
0.8mm
Produkto aprašymas