Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.1 A
Maximum Drain Source Voltage
12 V
Pakuotės tipas
PICOSTAR
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
400 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.65V
Maximum Power Dissipation
500 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
+8 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
1.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.06 nC @ 4.5 V
Plotis
0.64mm
Transistor Material
Si
Serija
FemtoFET
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
0.35mm
Produkto aprašymas
N-Channel FemtoFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,359
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,434
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
20
€ 0,359
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,434
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
20
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
20 - 20 | € 0,359 | € 7,18 |
40 - 80 | € 0,231 | € 4,62 |
100 - 480 | € 0,127 | € 2,54 |
500 - 980 | € 0,112 | € 2,25 |
1000+ | € 0,098 | € 1,95 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.1 A
Maximum Drain Source Voltage
12 V
Pakuotės tipas
PICOSTAR
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
400 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.65V
Maximum Power Dissipation
500 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
+8 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
1.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.06 nC @ 4.5 V
Plotis
0.64mm
Transistor Material
Si
Serija
FemtoFET
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
0.35mm
Produkto aprašymas