Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Taiwan SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
4 A
Maximum Drain Source Voltage
800 V
Pakuotės tipas
ITO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
3 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
38.7 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Typical Gate Charge @ Vgs
20 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
10mm
Plotis
4.6mm
Number of Elements per Chip
1
Forward Diode Voltage
1.5V
Aukštis
15mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 3,372
Each (On a Reel of 1000) (be PVM)
€ 4,08
Each (On a Reel of 1000) (su PVM)
1000
€ 3,372
Each (On a Reel of 1000) (be PVM)
€ 4,08
Each (On a Reel of 1000) (su PVM)
1000
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Taiwan SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
4 A
Maximum Drain Source Voltage
800 V
Pakuotės tipas
ITO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
3 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
38.7 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Typical Gate Charge @ Vgs
20 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
10mm
Plotis
4.6mm
Number of Elements per Chip
1
Forward Diode Voltage
1.5V
Aukštis
15mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C