Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Taiwan SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
50 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
DPAK (TO-252)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
28 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
53 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Plotis
5.8mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
6.5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
28 nC @ 10 V
Aukštis
2.3mm
Forward Diode Voltage
1V
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,275
Each (On a Reel of 2500) (be PVM)
€ 0,333
Each (On a Reel of 2500) (su PVM)
2500
€ 0,275
Each (On a Reel of 2500) (be PVM)
€ 0,333
Each (On a Reel of 2500) (su PVM)
2500
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Taiwan SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
50 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
DPAK (TO-252)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
28 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
53 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Plotis
5.8mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
6.5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
28 nC @ 10 V
Aukštis
2.3mm
Forward Diode Voltage
1V