Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Taiwan SemiconductorChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
3.1 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
240 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
1.56 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Plotis
1.6mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
8.2 nC @ 10 V
Ilgis
2.9mm
Aukštis
0.95mm
Forward Diode Voltage
1V
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,306
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,37
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
€ 0,306
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,37
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Taiwan SemiconductorChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
3.1 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
240 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
1.56 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Plotis
1.6mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
8.2 nC @ 10 V
Ilgis
2.9mm
Aukštis
0.95mm
Forward Diode Voltage
1V