Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
110 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
TO-247
Serija
STripFET
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
10.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
312 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
15.75mm
Typical Gate Charge @ Vgs
172 nC @ 10 V
Plotis
5.15mm
Number of Elements per Chip
1
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
20.15mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
N-Channel STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 76,95
€ 2,565 Each (In a Tube of 30) (be PVM)
€ 93,11
€ 3,104 Each (In a Tube of 30) (su PVM)
30

€ 76,95
€ 2,565 Each (In a Tube of 30) (be PVM)
€ 93,11
€ 3,104 Each (In a Tube of 30) (su PVM)
30

Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Vamzdelis |
---|---|---|
30 - 60 | € 2,565 | € 76,95 |
90 - 480 | € 2,185 | € 65,55 |
510 - 960 | € 1,90 | € 57,00 |
990 - 4980 | € 1,805 | € 54,15 |
5010+ | € 1,52 | € 45,60 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
110 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
TO-247
Serija
STripFET
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
10.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
312 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
15.75mm
Typical Gate Charge @ Vgs
172 nC @ 10 V
Plotis
5.15mm
Number of Elements per Chip
1
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
20.15mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas