Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
11 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Pakuotės tipas
DPAK (TO-252)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
360 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
90 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Typical Gate Charge @ Vgs
30 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
6.6mm
Plotis
6.2mm
Transistor Material
Si
Aukštis
2.4mm
Serija
MDmesh
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 2,78
už 1 vnt. (be PVM)
€ 3,36
už 1 vnt. (su PVM)
1
€ 2,78
už 1 vnt. (be PVM)
€ 3,36
už 1 vnt. (su PVM)
1
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina |
---|---|
1 - 4 | € 2,78 |
5 - 24 | € 2,42 |
25 - 49 | € 2,15 |
50 - 99 | € 1,94 |
100+ | € 1,78 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
11 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Pakuotės tipas
DPAK (TO-252)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
360 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
90 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Typical Gate Charge @ Vgs
30 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
6.6mm
Plotis
6.2mm
Transistor Material
Si
Aukštis
2.4mm
Serija
MDmesh