Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
5 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Pakuotės tipas
PowerSO
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
10
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
73 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+165 °C
Ilgis
9.6mm
Plotis
9.5mm
Transistor Material
Si
Typical Power Gain
14 dB
Aukštis
3.6mm
Produkto aprašymas
RF MOSFET Transistors, STMicroelectronics
The Radio Frequency Transistors are LDMOS suitable for L-band satellite uplinks and DMOS power transistors in applications ranging from 1 MHz to 2 GHz.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 16,34
už 1 vnt. (be PVM)
€ 19,77
už 1 vnt. (su PVM)
Standartas
1
€ 16,34
už 1 vnt. (be PVM)
€ 19,77
už 1 vnt. (su PVM)
Standartas
1
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
5 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Pakuotės tipas
PowerSO
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
10
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
73 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+165 °C
Ilgis
9.6mm
Plotis
9.5mm
Transistor Material
Si
Typical Power Gain
14 dB
Aukštis
3.6mm
Produkto aprašymas
RF MOSFET Transistors, STMicroelectronics
The Radio Frequency Transistors are LDMOS suitable for L-band satellite uplinks and DMOS power transistors in applications ranging from 1 MHz to 2 GHz.