Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ROHMChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
100 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
SC-75
Serija
RE1C001ZP
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
40 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.3V
Maximum Power Dissipation
150 mW
Maximum Gate Source Voltage
-10 V, +10 V
Ilgis
1.7mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Plotis
0.9mm
Aukštis
0.7mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Produkto aprašymas
P-Channel MOSFET Transistors, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
€ 7,48
€ 0,06 Each (In a Pack of 125) (be PVM)
€ 9,05
€ 0,073 Each (In a Pack of 125) (su PVM)
125

€ 7,48
€ 0,06 Each (In a Pack of 125) (be PVM)
€ 9,05
€ 0,073 Each (In a Pack of 125) (su PVM)
125

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
125 - 500 | € 0,06 | € 7,48 |
625 - 1125 | € 0,058 | € 7,24 |
1250 - 3000 | € 0,056 | € 7,01 |
3125 - 6125 | € 0,054 | € 6,77 |
6250+ | € 0,053 | € 6,65 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ROHMChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
100 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
SC-75
Serija
RE1C001ZP
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
40 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.3V
Maximum Power Dissipation
150 mW
Maximum Gate Source Voltage
-10 V, +10 V
Ilgis
1.7mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Plotis
0.9mm
Aukštis
0.7mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Produkto aprašymas